GSR900D035系列 900V、50mΩ 氮化镓 (GaN) FET 为常关型器件。 它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。 通过更低的栅极电荷、更低的交叉损耗和更小的反向恢复电荷提供比硅更高的效率。
900V Cascode GaN FET in TO-247(source tab)
产品说明
GSR900D035系列 900V、50mΩ 氮化镓 (GaN) FET 为常关型器件。 它通过结合先进的高压 GaNHEMT 与低压硅 MOSFET来提供卓越的可靠性和性能。
通过更低的栅极电荷、更低的交叉损耗和更小的反向恢复电荷提供比硅更高的效率。
订购信息
| 器件编号 | 封装 | 封装配置 |
| GSR900D035 | 3 lead TO-247 | Source |
GSR900D035A TO-247
产品特征
产品应用
| 主要规格 | |
| VDS (V) | 900 |
| V(TR)DSS (V) max | 1000 |
| RDS(on)eff (mΩ) max* | 63 |
| QRR (nC) typ | 156 |
| QG (nC) typ | 15 |
绝对最大额定值(TJ=25°C 除非另有说明 )
| Symbol | Parameter | Limit Value | Unit | |
ID | Continuous drain current@TC=25°C a | 34 | A | |
| Continuous drain current@TC=100°C a | 22 | A | ||
| IDM | Pulsed draincurrent (pulse width:10µs) | 150 | A | |
| di/dtRDMC | Reverse diodedi/dt, repetitive b | 1600 | A/µs | |
| IRDMC1 | Reverse diodeswitching current, repetitive (dc) c | 24 | A | |
| IRDMC2 | Reverse diodeswitching current, repetitive (ac) c | 28 | A | |
| di/dtRDMT | Reverse diodedi/dt, transient d | 3000 | A/µs | |
| IRDMT | Reverse diodeswitching current, transient | 36 | A | |
| V(TR)DSS | Transient drainto source voltage e | 1000 | V | |
| VGSS | Gate to source voltage | ±20 | V | |
| PD | Maximum power dissipation @TC=25°C | 119 | W | |
| TC |
Operating temperature | Case | -55 to +150 | °C |
| TJ | Junction | -55 to +150 | °C | |
| TS | Storage temperature | -55 to +150 | °C | |
| TSOLD | Soldering peak temperature f | 260 | °C | |
| - | Mounting Torque | 80 | N cm | |
Notes:
热阻
| Symbol | Parameter | Typical | Unit |
| RΘJC | Junction-to-case | 1.05 | °C/W |
| RΘJA | Junction-to-ambient | 40 | °C/W |
推荐的栅极驱动: (0V, 12-14V)with RG(tot) = 22-30Ω, RG(tot) = RG + RDRIVER
| Required DC Link RC Snubber (RCDCL) a | Recommended Switching Node RC Snubber(RCSN) b |
| [10nF + 8Ω] x 2 | 100pF + 10Ω |
Notes:
电气参数 (TJ=25°C 除非另有说明)
| Symbol | Parameter | Min | Typ | Max | Unit | Test Conditions |
| Forward DeviceCharacteristics | ||||||
| V(BL)DSS | Maximum drain-source voltage | 900 | — | — | V | VGS=0V |
| VGS(th) | Gate threshold voltage | 3.4 | 3.9 | 4.4 | V |
VDS=VGS, ID=0.7mA |
| ΔVGS(th)/TJ | Gate threshold voltage temperature coefficient | — | -6.5 | — | mV/°C | |
RDS(on)eff |
Drain-source on-resistance a | — | 50 | 63 |
mΩ | VGS=10V, ID=22A |
| — | 105 | — | VGS=10V, ID=22A, TJ=150°C | |||
IDSS |
Drain-to-source leakage current | — | 4 | 40 |
µA | VDS=900V, VGS=0V |
| — | 15 | — | VDS=900V, VGS=0V, TJ=150°C | |||
IGSS | Gate-to-source forward leakage current | — | — | 100 |
nA | VGS=20V |
| Gate-to-source reverse leakage current | — | — | -100 | VGS=-20V | ||
| CISS | Input capacitance | — | 1000 | — |
pF |
VGS=0V, VDS=600V, f=1MHz |
| COSS | Output capacitance | — | 115 | — | ||
| CRSS | Reverse transfer capacitance | — | 3.5 | — | ||
| CO(er) | Output capacitance, energy related b | — | 153 | — |
pF |
VGS=0V, VDS=0V to 600V |
| CO(tr) | Output capacitance, time related c | — | 260 | — | ||
| QG | Total gatecharge | — | 15 | — |
nC |
VDS=600V, VGS=10V, ID=22A |
| QGS | Gate-source charge | — | 5 | — | ||
| QGD | Gate-drain charge | — | 4.7 | — | ||
| QOSS | Output charge | — | 155 | — | nC | VGS=0V, VDS=0V to 600V |
| tD(on) | Turn-on delay | — | 48 | — |
ns |
VDS=600V, VGS=10V, ID=22A RG=25Ω, 4A driver |
| tR | Rise time | — | 12 | — | ||
| tD(off) | Turn-off delay | — | 70 | — | ||
| tF | Fall time | — | 12 | — | ||
反向器件特性 | ||||||
| IS | Reverse current | — | — | 22 | A | VGS=0V, TC=100°C, ≤25% duty cycle |
VSD |
Reverse voltage a | — | 2.2 | 2.6 |
V | VGS=0V, IS=22A |
| — | 1.6 | 1.9 | VGS=0V, IS=11A | |||
| tRR | Reverse recovery time | — | 53 | — | ns | IS=22A, VDD=600V, di/dt=1000A/µs |
| QRR | Reverse recovery charge | — | 156 | — | nC | |
Notes:
典型特性 (TC=25°C 除非另有说明)
设计注意事项
GaN 器件的快速开关降低了电流-电压交越损耗，可实现高频操作，同时实现高效率。但是，充分利用GaN开关的快速开关特性
需要遵守特定的PCB布局指南和探测技术。
| DO | DO NOT |
| 通过在驱动和电源环路中保持走线短，最大限度地降低电路电感 | 扭动 TO-220 或 TO-247 的引脚以适应 GDS 电路板布局 |
| 安装到 PCB 时，将 TO-220 和 TO-247 封装的引线长度降至最低 | 在驱动电路中使用长走线，器件的引线长度过长 |
| 使用最短检测环路进行探测;将探头及其接地连接直接连接到测试点 | 使用差模探头或带长线的探头接地夹 |
GaN设计资源
| 文件名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
|---|---|---|---|
| GSR900D035A-datasheet-CN | V1.0 | 中文参数说明文档. | 下载 |
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
