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GH003-磁学理论基础

2026-05-08 作者: 镓宏半导体应用部

1、基础定律:法拉第电磁感应定律、楞次定律、安培环路定律、磁路基尔霍夫定律

2、磁路关键参数:磁动势、磁通量、磁阻、磁场强度、饱和磁通密度,磁导率

3、磁场各参数的基本关系

4、磁性材料对比及B -H 曲线

5、AP法估算磁芯参数

6、磁芯饱和的原因和预防

7、磁芯的储能过程和损耗

8、伏秒平衡的原理及应用

磁学理论基础 【下载文件】
江苏镓宏半导体有限公司

江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件,以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势,汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源,组织筹建新型的IDM产品平台,助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。

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