1、EMC/EMI基础概念及传导(CE)测试
2、差模噪声传导路径分析
3、差模噪声在传导曲线的频段分布
4、差模噪声的抑制及电路设计
5、抑制差模噪声的变压器绕线方法
6、辐射(RE)定义及测试
7、抑制辐射(RE)的电路设计
8、PCB设计要点
9、共模电感、电容的应用
10、屏蔽罩的设计应用
11、传导(CE)/辐射(RE)超标整改策略
江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
