6寸700V D-Mode硅基氮化镓晶圆
这是一款700伏硅基氮化镓耗尽型功率晶体管。氮化镓的特性使其具有高击穿电压和高开关频率
关键技术参数：
VDSmax 700V；IDmax 3.6A; IDpulse 7.0A ;VGS -30V to +20V ;Tc＆Tj -55℃ to 150℃
产品优势：
This is a 700V GaN-on-Si Depletion-mode power transistor. The properties of GaN allow for high breakdown voltage andhigh switching frequency.
应用领域：
Adapter、Telecom and data-com、Industrial
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江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
