700V E-Mode硅基氮化镓器件
Description：
This is a 700V GaN-on-Si enhancement-mode power transistor in DFN5×6 package. The properties of GaN allow for high current, high breakdown voltage and high switching frequency. The DFN5x6 package offers low parasitic inductance, strong heat dissipation capability and high solderability, which make GaN better apply to consumer and industrial applications
描述：
This is a 700V GaN-on-Si enhancement-mode power transistor in DFN5×6 package. The properties of GaN allow for high current, high breakdown voltage and high switching frequency. The DFN5x6 package offers low parasitic inductance, strong heat dissipation capability and high solderability, which make GaN better apply to consumer and industrial applications
应用：
AC/DC converters
DC/DC converters
Bridgeless totem pole PFC
Fast chargers
Power adapters
| 产品图片 | 名称 | 类别 | 描述 | 查看 |
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| GH070E135A1DC | 700V E-Mode硅基氮化镓器件 | 700V E-Mode硅基氮化镓器件 | 查看 |
| 文件名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
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江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
