100V E-Mode硅基氮化镓器件
Description：
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement modehigh-electron-mobility-transistor (HEMT) in En-FCQFN with 3.0mm x 6.0 mm package size
Bi-directional blocking capability
Description：
Bi-directional GaN-on-Silicon enhancement modehigh-electron-mobility-transistor (HEMT) in En-FCQFN with 3.0mm x 6.0 mm package size
Bi-directional blocking capability
GaN-on-Silicon E-mode HEMT technology
Ultra-low on resistance
Applications：
BMS battery protection
High side load switchin bi-directional converter
Switch circuits in multiple power supplier system
| 产品图片 | 名称 | 类别 | 描述 | 查看 |
|---|---|---|---|---|
| GH100Y016Y3EL | 100V E-Mode硅基氮化镓器件 | 100V E-Mode硅基氮化镓器件 | 查看 |
| 文件名称 | 版本 | 描述 | 下载 |
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江苏镓宏半导体有限公司
江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年，项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件，以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物， 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品，充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势，汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源，组织筹建新型的IDM产品平台，助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。
