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GSR065E060B

产品介绍650V增强型功率晶体管底部冷却、低电感GaNPX®封装RDS(on)=25mΩIDS(ma...

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GSR065E030

650V50mΩGaNFET订购信息器件编号封装封装配置GSR065E0308x8mmPDFNTap...

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GSR065D200A

产品简介GSR065D200是一款高压D型GaN晶体管。它提供获得专利的高密度横向布局GaN功率晶体...

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GSR065D046(650V 35mΩ GaN FET)

产品介绍GSR065D046650V、35mΩ氮化镓(GaN)FET是一款采用GSRSemicond...

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GSR065D34A

简介GSR065D34(650VSuperGaN®FETinTO-263)GSR065D034650...

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GSR065D25

产品说明GSR065D25(650VGaNFETPQFNSeries)GSR065D25系列650V...

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GSR065D100

产品介绍GSR065D100(直接驱动器D-模式)D3GaN(直接驱动器D-模式)GSR065D10...

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GSR065D095A

产品介绍GSR065D095(650VSuperGaN™FETinTO-247)GSR065D046...

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江苏镓宏半导体有限公司

江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件,以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势,汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源,组织筹建新型的IDM产品平台,助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。

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