中文
Eng

GSR900D035

900VCascodeGaNFETinTO-247(sourcetab)产品说明GSR900D035...

查看详情

GSR065D046(650V 35mΩ GaN FET)

产品介绍GSR065D046650V、35mΩ氮化镓(GaN)FET是一款采用GSRSemicond...

查看详情

GSR065D34A

简介GSR065D34(650VSuperGaN®FETinTO-263)GSR065D034650...

查看详情

GSR065D25

产品说明GSR065D25(650VGaNFETPQFNSeries)GSR065D25系列650V...

查看详情

GSR065D013A

产品简介GSR065D013A(650VSuperGaN®GaNFETinPQFN)GSR065D0...

查看详情

GSR065D095A

产品介绍GSR065D095(650VSuperGaN™FETinTO-247)GSR065D046...

查看详情
江苏镓宏半导体有限公司

江苏镓宏半导体有限公司(原徐州金沙江半导体有限公司)成立于2021年,项目发起人为氮化镓领域(GaN HEMT、氮化镓HEMT等GaN 功率晶体管器件,以及氮化镓外延片、氮化镓应用技术)领军人物, 以业内领先的氮化镓功率器件和其全新应用为拳头产品,充分发挥国际领先的6-8寸硅基氮化镓功率器件全套生产制造技术的优势,汇集供应链资源、核心技术、产品制造、核心客户、资本市场和地方政府支持等关键资源,组织筹建新型的IDM产品平台,助力中国在第三代半导体产业领域的跨越式发展。

关注我们

Copyright © 2023 江苏镓宏半导体有限公司.版权所有 |

苏公网安备 32039102000462号

| 苏ICP备2022007342号